ISA1603AM1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ISA1603AM1  📄📄 

Маркировка: TR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ISA1603AM1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISA1603AM1 даташит

 6.1. Size:164K  isahaya
 isa1530ac1 isa1603ac1.pdf pdf_icon

ISA1603AM1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1530AC1 ISA1603AM1 . FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING UNIT mm DESCRIPTION ISA1530AC1 ISA1603AM1 is super mini ISA1530AC1 ISA1603AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.1 2.8 These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.425 1.5 0.65 0.65 amplify appli

 8.1. Size:189K  isahaya
 isa1235ac1 isa1602am1.pdf pdf_icon

ISA1603AM1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1235AC1 ISA1602AM1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING UNIT mm DESCRIPTION ISA1235AC1 ISA1602AM1 is super mini ISA1235AC1 ISA1602AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.1 2.8 These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.425 1.5 0.65 0.65 amplify applicati

Другие транзисторы: ISA1235AC1, ISA1283AS1, ISA1284AS1, ISA1286AS1, ISA1287AS1, ISA1399AS1, ISA1530AC1, ISA1602AM1, MPSA42, ISA1989AU1, ISA1993AS1, ISA1995AS1, ISA2166AM1, ISA2166AU1, ISA2188AM1, ISA2188AU1, ISB1035AS1