Справочник транзисторов. ISA1603AM1

 

Биполярный транзистор ISA1603AM1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ISA1603AM1
   Маркировка: TR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для ISA1603AM1

 

 

ISA1603AM1 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:164K  isahaya
isa1530ac1 isa1603ac1.pdf

ISA1603AM1
ISA1603AM1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORISA1530AC1 ISA1603AM1. FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING UNITmmDESCRIPTION ISA1530AC1 ISA1603AM1 is super mini ISA1530AC1 ISA1603AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.12.8These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.4251.5 0.65 0.65amplify appli

 8.1. Size:189K  isahaya
isa1235ac1 isa1602am1.pdf

ISA1603AM1
ISA1603AM1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORISA1235AC1 ISA1602AM1FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING UNITmmDESCRIPTION ISA1235AC1 ISA1602AM1 is super mini ISA1235AC1 ISA1602AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.12.8These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.4251.5 0.65 0.65amplify applicati

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N296

 

 
Back to Top