ISA1989AU1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISA1989AU1  📄📄 

Código: TR

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT416

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ISA1989AU1 datasheet

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ISA1989AU1

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ISA1989AU1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1995AS1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(FRAME TYPE) DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1995AS1 is mini package resin sealed 4.0 silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . 0.1 0.45 FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. 2.5 2

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ISA1989AU1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1993AS1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(FRAME TYPE) DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1993AS1 is mini package resin sealed 4.0 silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . 0.1 0.45 FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. 2.5 2

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