ISA1989AU1 Todos los transistores

 

ISA1989AU1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISA1989AU1
   Código: TR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT416
     - Selección de transistores por parámetros

 

ISA1989AU1 Datasheet (PDF)

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ISA1989AU1

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ISA1989AU1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1995AS1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPE(FRAME TYPE)DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1995AS1 is mini package resin sealed 4.0 silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . 0.1 0.45 FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. 2.5 2

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ISA1989AU1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1993AS1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPE(FRAME TYPE)DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1993AS1 is mini package resin sealed 4.0 silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . 0.1 0.45 FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. 2.5 2

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History: FJX4014R | 2SA1711 | 2S138 | 2SB324 | FA4A4P | MMBT3946DW1T1 | 2N3942

 

 
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