2N672 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N672
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO30
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N672
2N672 Datasheet (PDF)
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
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PNP SILICON PLANAR2N6726MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6727ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
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PNP SILICON PLANAR 2N67282N6729MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6730ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T 8 IT DITI I I I II V 8 V I I V I II i V 8 V I I
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2N6727 -1.5 A, -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Switching Application G H EmitterBase CollectorJA DMillimeterREF. BMin. Max.CollectorA 4.40 4.70B 4.30 4.70KC 12.70 -D 3.30 3.81E 0.36 0.56
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER2N6724DARLINGTON TRANSISTORS2N6725ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I
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