Биполярный транзистор 2N672 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N672
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO30
2N672 Datasheet (PDF)
2n6716 2n6717 2n6718 2n6728 2n6729 2n6730.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n6714 2n6715 2n6726 2n6727.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n6726 2n6727.pdf
PNP SILICON PLANAR2N6726MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6727ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
2n6728 2n6729 2n6730.pdf
PNP SILICON PLANAR 2N67282N6729MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6730ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T 8 IT DITI I I I II V 8 V I I V I II i V 8 V I I
2n6727.pdf
2N6727 -1.5 A, -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Switching Application G H EmitterBase CollectorJA DMillimeterREF. BMin. Max.CollectorA 4.40 4.70B 4.30 4.70KC 12.70 -D 3.30 3.81E 0.36 0.56
2n6724.pdf
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER2N6724DARLINGTON TRANSISTORS2N6725ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I
Другие транзисторы... 2N6712 , 2N6713 , 2N6714 , 2N6715 , 2N6716 , 2N6717 , 2N6718 , 2N6719 , MD1803DFX , 2N6720 , 2N6721 , 2N6722 , 2N6723 , 2N6724 , 2N6725 , 2N6726 , 2N6727 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050