IMB3AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMB3AFRA
Código: B3
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC74
- Selección de transistores por parámetros
IMB3AFRA Datasheet (PDF)
emb3fha umb3nfha imb3afra.pdf

EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRAEMB3 / UMB3N / IMB3ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R14.7kWEMB3 UMB3N EMB3FHA UMB3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)
emb3 umb3n imb3a umb3n.pdf

EMB3 / UMB3N / IMB3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB3 / UMB3N / IMB3A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 EMB31.60.5package. 1.00.5 0.52) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4)automatic mounting machines. 1pin mark ( ) ( ) ( )1 2 33) Transistor elements are indep
umb3n imb3a b3 sot363 sot23-6.pdf

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB3N / IMB3AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA143T chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.FStructureDual PNP digital transistor(each with single built in resistor)The follow
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: NJVMJD350T4G | ESM2030DV | PZT951 | DN0150ALP4 | K2121B | BFT67 | AFY34
History: NJVMJD350T4G | ESM2030DV | PZT951 | DN0150ALP4 | K2121B | BFT67 | AFY34



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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