IMD9AFRA Todos los transistores

 

IMD9AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMD9AFRA
   Código: D9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC74

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IMD9AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1436K  rohm
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IMD9AFRA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRA EMD9 / UMD9N / IMD9A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMD9 UMD9N EMD9FHA UMD9NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW SMT6 (4)

 9.1. Size:52K  rohm
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IMD9AFRA

UMD9N / IMD9A Transistors Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMT package. UMD9N 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit 0.1Min. Supply voltage VCC 50 V ROHM UMT6 EIAJ SC-88 Input voltage VIN -6 +40 V Each

Otros transistores... ISA2188AU1 , ISB1035AS1 , IMB2AFRA , IMB3AFRA , IMD10AMT1G , IMD2AFRA , IMD3AFRA , IMD6AFRA , BC547 , IMH11AFRA , IMH14AFRA , IMH15A , IMH15AFRA , IMH1AFRA , IMH20TR1G , IMH21 , IMH23 .

History: DTS710 | NSDU10 | CHT857BTPTR | DZT851 | MPS4121 | CHDTC124TEGP | NSS20101JT1G

 

 
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