IMD9AFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMD9AFRA  📄📄 

Маркировка: D9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMD9AFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMD9AFRA даташит

 ..1. Size:1436K  rohm
 emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf pdf_icon

IMD9AFRA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRA EMD9 / UMD9N / IMD9A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMD9 UMD9N EMD9FHA UMD9NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW SMT6 (4)

 9.1. Size:52K  rohm
 umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

IMD9AFRA

UMD9N / IMD9A Transistors Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMT package. UMD9N 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit 0.1Min. Supply voltage VCC 50 V ROHM UMT6 EIAJ SC-88 Input voltage VIN -6 +40 V Each

Другие транзисторы: ISA2188AU1, ISB1035AS1, IMB2AFRA, IMB3AFRA, IMD10AMT1G, IMD2AFRA, IMD3AFRA, IMD6AFRA, BC547, IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, IMH21, IMH23