IMD9AFRA - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

IMD9AFRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IMD9AFRA
   Маркировка: D9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для IMD9AFRA

 

IMD9AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1436K  rohm
 emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf pdf_icon

IMD9AFRA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRA EMD9 / UMD9N / IMD9A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMD9 UMD9N EMD9FHA UMD9NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW SMT6 (4)

 9.1. Size:52K  rohm
 umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

IMD9AFRA

UMD9N / IMD9A Transistors Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMT package. UMD9N 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit 0.1Min. Supply voltage VCC 50 V ROHM UMT6 EIAJ SC-88 Input voltage VIN -6 +40 V Each

Другие транзисторы... ISA2188AU1 , ISB1035AS1 , IMB2AFRA , IMB3AFRA , IMD10AMT1G , IMD2AFRA , IMD3AFRA , IMD6AFRA , BC547 , IMH11AFRA , IMH14AFRA , IMH15A , IMH15AFRA , IMH1AFRA , IMH20TR1G , IMH21 , IMH23 .

History: 2SC1837F | K2103A | KRA321E

 

 
Back to Top

 


 
.