Справочник транзисторов. IMD9AFRA

 

Биполярный транзистор IMD9AFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: IMD9AFRA
   Маркировка: D9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для IMD9AFRA

 

 

IMD9AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1436K  rohm
emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf

IMD9AFRA
IMD9AFRA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)

 9.1. Size:52K  rohm
umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf

IMD9AFRA

UMD9N / IMD9ATransistorsDigital Transistor(Dual Digital Transistors for Inverter Drive)UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units : mm)1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMTpackage.UMD9N1.252.1 Absolute maximum ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Limits Unit0.1Min.Supply voltage VCC 50 V ROHM : UMT6EIAJ : SC-88Input voltage VIN -6~+40 V Each

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top