IMH20TR1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMH20TR1G
Código: H20
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC74R
Búsqueda de reemplazo de IMH20TR1G
IMH20TR1G Datasheet (PDF)
imh20tr1g.pdf

IMH20TR1GDual Bias ResistorTransistorNPN Surface Mount Low VCC (sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mAhttp://onsemi.com High Current: IC = 600 mA max This is a Pb-Free Device(6)MAXIMUM RATINGS (TA = 25C) (4)Rating Symbol Value Unit(5)R1Collector-Base Voltage V(BR)CBO 30 VdcQ2Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 15 VdcQ1R1Emitter-Base Voltage V(BR)EBO
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD433-25 | BD940 | 40316
History: BD433-25 | BD940 | 40316



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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