Биполярный транзистор IMH20TR1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: IMH20TR1G
Маркировка: H20
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC74R
Аналоги (замена) для IMH20TR1G
IMH20TR1G Datasheet (PDF)
..1. Size:39K onsemi
imh20tr1g.pdf
imh20tr1g.pdf
IMH20TR1GDual Bias ResistorTransistorNPN Surface Mount Low VCC (sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mAhttp://onsemi.com High Current: IC = 600 mA max This is a Pb-Free Device(6)MAXIMUM RATINGS (TA = 25C) (4)Rating Symbol Value Unit(5)R1Collector-Base Voltage V(BR)CBO 30 VdcQ2Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 15 VdcQ1R1Emitter-Base Voltage V(BR)EBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050