IMH20TR1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH20TR1G  📄📄 

Маркировка: H20

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC74R

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH20TR1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH20TR1G даташит

 ..1. Size:39K  onsemi
 imh20tr1g.pdf pdf_icon

IMH20TR1G

IMH20TR1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Surface Mount Low VCC (sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mA http //onsemi.com High Current IC = 600 mA max This is a Pb-Free Device (6) MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) (4) Rating Symbol Value Unit (5) R1 Collector-Base Voltage V(BR)CBO 30 Vdc Q2 Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 15 Vdc Q1 R1 Emitter-Base Voltage V(BR)EBO

Другие транзисторы: IMD3AFRA, IMD6AFRA, IMD9AFRA, IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, 2N5551, IMH21, IMH23, IMH2AFRA, IMH3AFRA, IMH4AFRA, IMH5AFRA, INC6001AC1, INC6002AC1