IMH3AFRA Todos los transistores

 

IMH3AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH3AFRA
   Código: H3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC74
 

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IMH3AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1263K  rohm
 emh3fha umh3nfha imh3afra.pdf pdf_icon

IMH3AFRA

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRAEMH3 / UMH3N / IMH3ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R14.7kWEMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4) (5

 9.1. Size:61K  rohm
 emh3 umh3n imh3a umh3n.pdf pdf_icon

IMH3AFRA

EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 9.2. Size:50K  rohm
 umh3n imh3a h3 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMH3AFRA

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH3N / IMH3AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTAK13Ts chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics

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