Справочник транзисторов. IMH3AFRA

 

Биполярный транзистор IMH3AFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: IMH3AFRA
   Маркировка: H3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для IMH3AFRA

 

 

IMH3AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1263K  rohm
emh3fha umh3nfha imh3afra.pdf

IMH3AFRA
IMH3AFRA

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRAEMH3 / UMH3N / IMH3ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R14.7kWEMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4) (5

 9.1. Size:61K  rohm
emh3 umh3n imh3a umh3n.pdf

IMH3AFRA
IMH3AFRA

EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 9.2. Size:50K  rohm
umh3n imh3a h3 sot23-6sot363.pdf

IMH3AFRA
IMH3AFRA

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH3N / IMH3AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTAK13Ts chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top