IMH4AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMH4AFRA
Código: H4
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC74
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar IMH4AFRA
IMH4AFRA Datasheet (PDF)
emh4fha umh4nfha imh4afra.pdf
EMH4 / UMH4N / IMH4AEMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)
emh4 umh4n imh4a.pdf
EMH4 / UMH4N / IMH4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH4 / UMH4N / IMH4A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTEMH4package.( ) ( )4 3(5) (2)(6) ( )1 Equivalent circuits1.21pin mark1.6EMH4 / UMH4NIMH4A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1R1ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsR1R1
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Liste
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