IMH4AFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH4AFRA  📄📄 

Маркировка: H4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH4AFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH4AFRA даташит

 ..1. Size:1263K  rohm
 emh4fha umh4nfha imh4afra.pdf pdf_icon

IMH4AFRA

EMH4 / UMH4N / IMH4A EMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4)

 9.1. Size:42K  rohm
 emh4 umh4n imh4a.pdf pdf_icon

IMH4AFRA

EMH4 / UMH4N / IMH4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH4 / UMH4N / IMH4A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT EMH4 package. ( ) ( ) 4 3 (5) (2) (6) ( ) 1 Equivalent circuits 1.2 1pin mark 1.6 EMH4 / UMH4N IMH4A (3) (2) (1) (4) (5) (6) R1 R1 ROHM EMT6 Each lead has same dimensions R1 R1

 9.2. Size:48K  rohm
 umh4n imh4a h4 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

IMH4AFRA

(96-448-A114T)

Другие транзисторы: IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, IMH21, IMH23, IMH2AFRA, IMH3AFRA, BC548, IMH5AFRA, INC6001AC1, INC6002AC1, INC6005AC1, INC6005AP1, INC6006AC1, INC6006AP1, INC6006AS1