IMH5AFRA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IMH5AFRA  📄📄 

Código: H5

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SC74

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IMH5AFRA datasheet

 ..1. Size:1279K  rohm
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IMH5AFRA

UMH5NFHA / IMH5AFRA UMH5N / IMH5A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (4) (5) (5) VCC 50V (4) (6) (1) (3) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (1) R1 22kW UMH9N IMH9A UMH5NFHA IMH5AFRA R2 22kW SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInne

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IMH5AFRA

UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMG1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V 0.1Min. 40 ROHM UMT5 Input voltage

 9.2. Size:81K  rohm
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IMH5AFRA

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