IMH5AFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH5AFRA  📄📄 

Маркировка: H5

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH5AFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH5AFRA даташит

 ..1. Size:1279K  rohm
 umh5nfha imh5afra.pdf pdf_icon

IMH5AFRA

UMH5NFHA / IMH5AFRA UMH5N / IMH5A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (4) (5) (5) VCC 50V (4) (6) (1) (3) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (1) R1 22kW UMH9N IMH9A UMH5NFHA IMH5AFRA R2 22kW SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInne

 9.1. Size:61K  rohm
 umh5n imh5a h5 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

IMH5AFRA

UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMG1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V 0.1Min. 40 ROHM UMT5 Input voltage

 9.2. Size:81K  rohm
 umh5n umh5n imh5a.pdf pdf_icon

IMH5AFRA

Другие транзисторы: IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, IMH21, IMH23, IMH2AFRA, IMH3AFRA, IMH4AFRA, TIP41, INC6001AC1, INC6002AC1, INC6005AC1, INC6005AP1, INC6006AC1, INC6006AP1, INC6006AS1, INC6007AP1