IMT18 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IMT18
Código: T18
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
Paquete / Cubierta: SC74
- Selección de transistores por parámetros
IMT18 Datasheet (PDF)
emt18 umt18n imt18.pdf

General purpose transistors(dual transistors) EMT18 / UMT18N / IMT18 Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two 2SA2018 chips in a EMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 EMT18automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : T18ROHM : EMT6Structure
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: HSB772S | 2N3568 | CK477 | 2SD694 | BD355C | 2SA901 | BUV30
History: HSB772S | 2N3568 | CK477 | 2SD694 | BD355C | 2SA901 | BUV30



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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