IMT18 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMT18  📄📄 

Маркировка: T18

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMT18

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMT18 даташит

 ..1. Size:348K  rohm
 emt18 umt18n imt18.pdf pdf_icon

IMT18

General purpose transistors(dual transistors) EMT18 / UMT18N / IMT18 Features Dimensions (Unit mm) 1) Two 2SA2018 chips in a EMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 EMT18 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. Each lead has same dimensions Abbreviated symbol T18 ROHM EMT6 Structure

Другие транзисторы: INC6006AP1, INC6006AS1, INC6007AP1, INC6008AC1, INC6008AP1, IMH6AFRA, IMH8AFRA, IMH9AFRA, 2N3906, IMT1AFRA, IMT2AFRA, IMT3AFRA, IMT4FRA, IMX25, IMX2FRA, INC5001AC1, INC5001AP1