IMT18 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IMT18
Маркировка: T18
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SC74
IMT18 Datasheet (PDF)
emt18 umt18n imt18.pdf
General purpose transistors(dual transistors) EMT18 / UMT18N / IMT18 Features Dimensions (Unit mm) 1) Two 2SA2018 chips in a EMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 EMT18 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. Each lead has same dimensions Abbreviated symbol T18 ROHM EMT6 Structure
Другие транзисторы... INC6006AP1 , INC6006AS1 , INC6007AP1 , INC6008AC1 , INC6008AP1 , IMH6AFRA , IMH8AFRA , IMH9AFRA , 2N3906 , IMT1AFRA , IMT2AFRA , IMT3AFRA , IMT4FRA , IMX25 , IMX2FRA , INC5001AC1 , INC5001AP1 .
History: CHT5988ZGP | 2SD1902Q
History: CHT5988ZGP | 2SD1902Q
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166


