KXT5551 Todos los transistores

 

KXT5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KXT5551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT89

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KXT5551 Datasheet (PDF)

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KXT5551

SMD Type Product specification KXT5551 (CXT5551) SOT-89 Unit mm +0.1 4.50+0.1 1.50-0.1 -0.1 1.80+0.1 -0.1 Features High current (max. 500mA). Low voltage (max. 150 V). +0.1 +0.1 0.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1 -0.1 1. Base 3.00+0.1 -0.1 2. Collector 3. Emiitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 180 V Collector-emitter vo

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History: 2SD1846 | BFX49G | 2SC4168-5 | 2SC4168 | NB211FH | MMUN2111LT3G | BFV90

 

 
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