KXT5551 Todos los transistores

 

KXT5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KXT5551
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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KXT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  tysemi
 kxt5551.pdf pdf_icon

KXT5551

SMD TypeProduct specificationKXT5551 (CXT5551)SOT-89 Unit: mm+0.14.50+0.1 1.50-0.1-0.11.80+0.1-0.1FeaturesHigh current (max. 500mA).Low voltage (max. 150 V).+0.1 +0.10.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1-0.11. Base3.00+0.1-0.12. Collector3. EmiitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter vo

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