Справочник транзисторов. KXT5551

 

Биполярный транзистор KXT5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KXT5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для KXT5551

 

 

KXT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  tysemi
 kxt5551.pdf

KXT5551

SMD TypeProduct specificationKXT5551 (CXT5551)SOT-89 Unit: mm+0.14.50+0.1 1.50-0.1-0.11.80+0.1-0.1FeaturesHigh current (max. 500mA).Low voltage (max. 150 V).+0.1 +0.10.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1-0.11. Base3.00+0.1-0.12. Collector3. EmiitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter vo

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .