KXTP2013 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KXTP2013  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 42 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT223

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KXTP2013 datasheet

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KXTP2013

SMD Type Transistors PNP Transistors ZXTP2013 (KXTP2013) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 5 A continuous current Up to 10 A peak current Very low saturation voltages 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Colle

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