KXTP2013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KXTP2013  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KXTP2013

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KXTP2013 даташит

 ..1. Size:864K  kexin
 kxtp2013.pdf pdf_icon

KXTP2013

SMD Type Transistors PNP Transistors ZXTP2013 (KXTP2013) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 5 A continuous current Up to 10 A peak current Very low saturation voltages 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Colle

Другие транзисторы: KZT122, KZT127, KZT2222A, KZT2907A, KXT2222A, KXT2907A, KXT5401, KXT5551, 2SC5198, KZT1048A, KZT1049A, KTC9012SC, TTA005, TTA006B, TTA008B, TTA009, TTA1452B