TTB1020B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTB1020B

Código: B1020B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000

Encapsulados: TO220SIS

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TTB1020B datasheet

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TTB1020B

TTB1020B Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type TTB1020B TTB1020B TTB1020B TTB1020B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) =

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TTB1020B

TTB1067B PNP ( ) TTB1067B TTB1067B TTB1067B TTB1067B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1)

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TTB1020B

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.3. Size:750K  cn wuxi unigroup
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TTB1020B

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

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