TTB1067B Todos los transistores

 

TTB1067B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTB1067B
   Código: B1067B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO126N

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TTB1067B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:639K  toshiba
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TTB1067B

TTB1067B PNP ( ) TTB1067B TTB1067B TTB1067B TTB1067B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1)

 9.1. Size:178K  toshiba
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TTB1067B

TTB1020B Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type TTB1020B TTB1020B TTB1020B TTB1020B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) =

 9.2. Size:653K  cn wuxi unigroup
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TTB1067B

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.3. Size:750K  cn wuxi unigroup
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TTB1067B

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: ASY27RT | KRC414 | KT620B | KRX201U | TRR50-12 | KRC823U | AU106

 

 
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