TPA2029NND03 Todos los transistores

 

TPA2029NND03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPA2029NND03
   Código: FQ_FR_FS
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: WBFBP-03B
 

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TPA2029NND03 Datasheet (PDF)

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TPA2029NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPA2029NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E PNP Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPC5658NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

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TPA2029NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.21.20.5) unit: mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

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History: PDTA114TT

 

 
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