Справочник транзисторов. TPA2029NND03

 

Биполярный транзистор TPA2029NND03 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TPA2029NND03
   Маркировка: FQ_FR_FS
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: WBFBP-03B
 

 Аналог (замена) для TPA2029NND03

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPA2029NND03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  jiangsu
 tpa2029nnd03.pdf pdf_icon

TPA2029NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPA2029NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E PNP Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPC5658NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

 9.1. Size:81K  jiangsu
 tpa2030nnd03.pdf pdf_icon

TPA2029NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.21.20.5) unit: mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

Другие транзисторы... KTA2014-Y , KTC3199-BL , KTC3199-GR , KTC3199-O , KTC3199-Y , KTC3205-O , KTC3205-Y , KTC3880LT1 , 13003 , TPA2030NND03 , TPC2715NND03 , TPC5658NND03 , TPC5663NND03 , TPC6901 , TPC6901A , TPC6902 , TPCP8902 .

History: MUN5231DW1 | MUN5134DW1

 

 
Back to Top

 


 
.