TPC5663NND03 Todos los transistores

 

TPC5663NND03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPC5663NND03
   Código: BX
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: WBFBP-03B
 

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TPC5663NND03 Datasheet (PDF)

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TPC5663NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TOP TPC5663NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial planar Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) 250mA At IC =200mA / IB =10mA E B APPLI

 9.1. Size:295K  jiangsu
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TPC5663NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPC5658NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPA2029NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

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History: MMBTSC945O

 

 
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