Справочник транзисторов. TPC5663NND03

 

Биполярный транзистор TPC5663NND03 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TPC5663NND03
   Маркировка: BX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
   Корпус транзистора: WBFBP-03B
 

 Аналог (замена) для TPC5663NND03

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC5663NND03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  jiangsu
 tpc5663nnd03.pdf pdf_icon

TPC5663NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TOP TPC5663NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial planar Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) 250mA At IC =200mA / IB =10mA E B APPLI

 9.1. Size:295K  jiangsu
 tpc5658nnd03.pdf pdf_icon

TPC5663NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TPC5658NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER Excellent hFE linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TPA2029NND03 E B APPLICATION General Purpose trans

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: RN1903FS | 2SB149 | PMD18D100 | MJE2090 | KSE44H-11 | PEMX1 | 2SB1603A

 

 
Back to Top

 


 
.