T03N100GP Todos los transistores

 

T03N100GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T03N100GP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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T03N100GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  chenmko
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T03N100GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDT03N100GPSURFACE MOUNT NPN Silicon Transistor VOLTAGE 100Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* General purpose applications.* Other switching applications.TO-220FEATURE* Package. (TO-220)* DC Current Gain Specified to Ic=3A( ).187 4.7( ).148 3.8( ).153 3.9* High Current Gain-Bandwidth Product : fT=3MHz (Min.) .413 10.5( ).108( )

 8.1. Size:134K  samhop
 stt03n10.pdf pdf_icon

T03N100GP

GreenProductSTT03N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.235 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2.5A300 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

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History: TIP33E | MMBT5401GH | KUV42 | MMBTA55 | KU606 | KTX215E | TI885

 

 
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