T03N100GP Todos los transistores

 

T03N100GP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T03N100GP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar T03N100GP

 

Principales características: T03N100GP

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T03N100GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD T03N100GP SURFACE MOUNT NPN Silicon Transistor VOLTAGE 100Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * General purpose applications. * Other switching applications. TO-220 FEATURE * Package. (TO-220) * DC Current Gain Specified to Ic=3A ( ) .187 4.7 ( ) .148 3.8 ( ) .153 3.9 * High Current Gain-Bandwidth Product fT=3MHz (Min.) .413 10.5 ( ) .108 ( )

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T03N100GP

Green Product STT03N10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ Rugged and reliable. 235 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 2.5A 300 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

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