T03N100GP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T03N100GP  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220

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T03N100GP datasheet

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T03N100GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD T03N100GP SURFACE MOUNT NPN Silicon Transistor VOLTAGE 100Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * General purpose applications. * Other switching applications. TO-220 FEATURE * Package. (TO-220) * DC Current Gain Specified to Ic=3A ( ) .187 4.7 ( ) .148 3.8 ( ) .153 3.9 * High Current Gain-Bandwidth Product fT=3MHz (Min.) .413 10.5 ( ) .108 ( )

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T03N100GP

Green Product STT03N10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ Rugged and reliable. 235 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 2.5A 300 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

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