TFN1037 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TFN1037
Código: A4
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT23
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TFN1037 Datasheet (PDF)
tfn1037.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/4TFN1037 50V 150mA PNP TRANSISTOR Description The TFN1037 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent hFE linearity Complementary to TFN2412. Equivalent CircuitTFN1037 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol
tfn1036.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/6TFN1036 Description The TFN1036 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Large IC , IC(Max)= -0.6A Low VCE(sat), ideal for low-voltage operation. Complementary to TFN2411. Pb-free package Symbol Outline TFN1036 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute
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