TFN1037 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TFN1037

Código: A4

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT23

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TFN1037 datasheet

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TFN1037

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN1037 50V 150mA PNP TRANSISTOR Description The TFN1037 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent hFE linearity Complementary to TFN2412. Equivalent Circuit TFN1037 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol

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TFN1037

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/6 TFN1036 Description The TFN1036 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Large IC , IC(Max)= -0.6A Low VCE(sat), ideal for low-voltage operation. Complementary to TFN2411. Pb-free package Symbol Outline TFN1036 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute

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