TFN1768 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TFN1768
Código: AJ
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT23
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TFN1768 Datasheet (PDF)
tfn1768.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/6TFN1768 Description The TFN1768 is designed for use in driver and output stages of AF amplifier and general purpose application. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =80V (min.)CEO High collector current, I =1A (DC)C(max) Pb-free package Symbol Outline SOT-23 TFN1768BBaseC
tfn1759.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTD Page No: 1/4 TFN1759 Description High breakdown voltage. (BV =-400V)CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA.CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505N3. Symbol OutlineTFN1759 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol L
tfn1721.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/6TFN1721 Description High breakdown voltage. Low collector output capacitance. Ideal for chroma circuit. Pb-free package Symbol OutlineTFN1721 SOT-23BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -300 VCollector-Emitter Voltage V
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