THA92TTD03 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: THA92TTD03

Código: 2D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 310 V

Tensión colector-emisor (Vce): 305 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: WBFBP-03A

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THA92TTD03 datasheet

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THA92TTD03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA92TTD03 TRANSISTOR C WBFBP-03A DESCRIPTION (1.6 1.6 0.5) TOP PNP Epitaxial Silicon Transistor unit mm FEATURES B E Power dissipation PCM 0.15 W (Ta=25 ) C 1. BASE APPLICATION 2. EMITTER High Voltage Amplifier BACK 3. COLLECTOR For portable equipment

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