THA92TTD03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: THA92TTD03

Маркировка: 2D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 310 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 305 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: WBFBP-03A

 Аналоги (замена) для THA92TTD03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

THA92TTD03 даташит

 ..1. Size:257K  jiangsu
 tha92ttd03.pdf pdf_icon

THA92TTD03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA92TTD03 TRANSISTOR C WBFBP-03A DESCRIPTION (1.6 1.6 0.5) TOP PNP Epitaxial Silicon Transistor unit mm FEATURES B E Power dissipation PCM 0.15 W (Ta=25 ) C 1. BASE APPLICATION 2. EMITTER High Voltage Amplifier BACK 3. COLLECTOR For portable equipment

Другие транзисторы: TG53, TG55, TH430, TH513, TH560, TH562, THA15, THA42TTD03, 2SD718, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY, TSD1760CP, TSD1858CH, TSD2098ACY