TMBT3906 Todos los transistores

 

TMBT3906 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMBT3906
   Código: SW
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.32 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TMBT3906 Datasheet (PDF)

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TMBT3906

TMBT3906 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TMBT3906 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current : VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) Complementary to TMBT3904 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-bas

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TMBT3906

TMBT3904 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TMBT3904 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current : V = 50 V, I = 150 mA (max) CEO C Complementary to TMBT3906 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V 1. Base 2.

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History: TPC6603

 

 
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