TMBT3906 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMBT3906  📄📄 

Código: SW

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.32 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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TMBT3906 datasheet

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TMBT3906

TMBT3906 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TMBT3906 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) Complementary to TMBT3904 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-bas

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TMBT3906

TMBT3904 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TMBT3904 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current V = 50 V, I = 150 mA (max) CEO C Complementary to TMBT3906 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V 1. Base 2.

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