TSA114ENND03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA114ENND03  📄📄 

Código: 14

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: WBFBP-03B

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TSA114ENND03 datasheet

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TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114ENND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter 2. GND circuit without connecting external input resistors BACK 3. OUT

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TSA114ENND03

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