TSA114ENND03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSA114ENND03
Código: 14
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: WBFBP-03B
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TSA114ENND03
TSA114ENND03 Datasheet (PDF)
tsa114ennd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114ENND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter 2. GND circuit without connecting external input resistors BACK 3. OUT
tsa114tnnd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114TNND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit2. GND without connecting external input resistors (see equivalent cir
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050