TSA114ENND03 Todos los transistores

 

TSA114ENND03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA114ENND03
   Código: 14
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: WBFBP-03B
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSA114ENND03 Datasheet (PDF)

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TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114ENND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter 2. GND circuit without connecting external input resistors BACK 3. OUT

 8.1. Size:446K  jiangsu
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TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114TNND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit2. GND without connecting external input resistors (see equivalent cir

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History: TN3467 | BU807 | BFS91A

 

 
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