Справочник транзисторов. TSA114ENND03

 

Биполярный транзистор TSA114ENND03 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TSA114ENND03
   Маркировка: 14
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: WBFBP-03B

 Аналоги (замена) для TSA114ENND03

 

 

TSA114ENND03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  jiangsu
tsa114ennd03.pdf

TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114ENND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter 2. GND circuit without connecting external input resistors BACK 3. OUT

 8.1. Size:446K  jiangsu
tsa114tnnd03.pdf

TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114TNND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit2. GND without connecting external input resistors (see equivalent cir

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top