TSA114ENND03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSA114ENND03  📄📄 

Маркировка: 14

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: WBFBP-03B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSA114ENND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSA114ENND03 даташит

 ..1. Size:313K  jiangsu
 tsa114ennd03.pdf pdf_icon

TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114ENND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter 2. GND circuit without connecting external input resistors BACK 3. OUT

 8.1. Size:446K  jiangsu
 tsa114tnnd03.pdf pdf_icon

TSA114ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSA114TNND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit 2. GND without connecting external input resistors (see equivalent cir

Другие транзисторы: TSC1417, TSC143ENND03, TSC143TNND03, TSC144ENND03, TSC148DCI, TSC148DCZ, TSC148DCM, TSA1036CX, 2SC5200, TSA114TNND03, TSA124ENND03, TSA143ENND03, TSA143TNND03, TSA143ZNND03, TSA1765CW, TSA5888CY, TSA874CW