NSM6056M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSM6056M
Código: M60
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT457
Búsqueda de reemplazo de NSM6056M
NSM6056M Datasheet (PDF)
nsm6056m.pdf

NSM6056MT1GNPN Transistor with ZenerDiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantTypical ApplicationsNPN Transistor with Driving CircuitZener Diode Switching Applications6 5 4MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTORRating Symbol Value UnitZ1 Q1Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VCollector-Base Voltage VCB
Otros transistores... NJL4281DG , NJL4302DG , NJT4030PT1G , NJT4030PT3G , NJT4031N , NJT4031NT3G , NSL12AWT1G , NSM4002MR6 , TIP2955 , NSM80100MT1G , NSM80101MT1G , NSS12100M3 , NSS12100UW3TCG , NSS12100XV6 , NSS12200LT1G , NSS12200W , NSS12201LT1G .
History: 2N708-46 | 2SB214 | BDS28CSM | 2SB572 | FHD21F | 2SB649 | ETG36040D
History: 2N708-46 | 2SB214 | BDS28CSM | 2SB572 | FHD21F | 2SB649 | ETG36040D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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