Биполярный транзистор NSM6056M Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NSM6056M
Маркировка: M60
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT457
Аналог (замена) для NSM6056M
NSM6056M Datasheet (PDF)
nsm6056m.pdf

NSM6056MT1GNPN Transistor with ZenerDiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantTypical ApplicationsNPN Transistor with Driving CircuitZener Diode Switching Applications6 5 4MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTORRating Symbol Value UnitZ1 Q1Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VCollector-Base Voltage VCB
Другие транзисторы... NJL4281DG , NJL4302DG , NJT4030PT1G , NJT4030PT3G , NJT4031N , NJT4031NT3G , NSL12AWT1G , NSM4002MR6 , TIP2955 , NSM80100MT1G , NSM80101MT1G , NSS12100M3 , NSS12100UW3TCG , NSS12100XV6 , NSS12200LT1G , NSS12200W , NSS12201LT1G .
History: T2096
History: T2096



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent