NSM6056M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NSM6056M  📄📄 

Маркировка: M60

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT457

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NSM6056M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSM6056M даташит

 ..1. Size:106K  onsemi
 nsm6056m.pdf pdf_icon

NSM6056M

NSM6056MT1G NPN Transistor with Zener Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant Typical Applications NPN Transistor with Driving Circuit Zener Diode Switching Applications 6 5 4 MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit Z1 Q1 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Collector-Base Voltage VCB

Другие транзисторы: NJL4281DG, NJL4302DG, NJT4030PT1G, NJT4030PT3G, NJT4031N, NJT4031NT3G, NSL12AWT1G, NSM4002MR6, 2SD669A, NSM80100MT1G, NSM80101MT1G, NSS12100M3, NSS12100UW3TCG, NSS12100XV6, NSS12200LT1G, NSS12200W, NSS12201LT1G