3DD5011 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD5011

Código: D5011

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 900 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 6

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de 3DD5011

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD5011 datasheet

 ..1. Size:235K  jilin sino
3dd5011.pdf pdf_icon

3DD5011

 8.1. Size:528K  jilin sino
3dd5017p.pdf pdf_icon

3DD5011

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5017P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1000 V BV CBO 12 A I C 0.5 V(max) V CE(sat) 0.3 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. F

 9.1. Size:144K  jilin sino
3dd5036.pdf pdf_icon

3DD5011

 9.2. Size:359K  jilin sino
3dd5024p.pdf pdf_icon

3DD5011

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU

Otros transistores... NST45010MW6T1G, NST489AMT1G, NST65010M, NST65010MW6T1G, NST65011M, NST65011MW6T1G, NST847BDP6T5G, NST857BDP6T5G, 2N2907, 2SD5011, D4203D, NSBA113EDXV6, NSBA113EDXV6T1, NSBA113EDXV6T1G, NSBA113EF3, NSBA113EF3T5G, NSBA115EDXV6