3DD5011. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD5011

Маркировка: D5011

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 3DD5011

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5011 даташит

 ..1. Size:235K  jilin sino
3dd5011.pdfpdf_icon

3DD5011

 8.1. Size:528K  jilin sino
3dd5017p.pdfpdf_icon

3DD5011

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5017P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1000 V BV CBO 12 A I C 0.5 V(max) V CE(sat) 0.3 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. F

 9.1. Size:144K  jilin sino
3dd5036.pdfpdf_icon

3DD5011

 9.2. Size:359K  jilin sino
3dd5024p.pdfpdf_icon

3DD5011

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU

Другие транзисторы: NST45010MW6T1G, NST489AMT1G, NST65010M, NST65010MW6T1G, NST65011M, NST65011MW6T1G, NST847BDP6T5G, NST857BDP6T5G, 2N2907, 2SD5011, D4203D, NSBA113EDXV6, NSBA113EDXV6T1, NSBA113EDXV6T1G, NSBA113EF3, NSBA113EF3T5G, NSBA115EDXV6