NSVBT2222ADW1T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NSVBT2222ADW1T1G
   Código: 1P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NSVBT2222ADW1T1G

NSVBT2222ADW1T1G Datasheet (PDF)

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MBT2222ADW1,NSVBT2222ADW1General Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring(3) (2) (1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableQ1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(4) (5) (6)MAXIM

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