NSVBT2222ADW1T1G Todos los transistores

 

NSVBT2222ADW1T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVBT2222ADW1T1G
   Código: 1P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

 Búsqueda de reemplazo de NSVBT2222ADW1T1G

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NSVBT2222ADW1T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:144K  onsemi
 nsvbt2222adw1t1g.pdf pdf_icon

NSVBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1,NSVBT2222ADW1General Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring(3) (2) (1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableQ1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(4) (5) (6)MAXIM

 1.1. Size:139K  onsemi
 mbt2222adw1 nsvbt2222adw1.pdf pdf_icon

NSVBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1,NSVBT2222ADW1General Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring(3) (2) (1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableQ1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(4) (5) (6)MAXIM

Otros transistores... NSBC115TDP6T5G , NSBC115TF3 , NSBC115TF3T5G , NSBC115TPDP6 , NSBC115TPDP6T5G , NSVBCX17LT1G , NSVBSP19AT1G , NSVBSS63LT1G , 2N4401 , NSVEMC2DXV5T1G , NSVEMD4DXV6T5G , NSVEMX1DXV6T1G , NSVMBT3904DW1T3G , NSBC123EDXV6 , NSBC123EDXV6T1G , NSBC123EF3 , NSBC123EF3T5G .

 

 
Back to Top

 


 
.