NSTB60BDW1T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSTB60BDW1T1G

Código: 71

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.26 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT363

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NSTB60BDW1T1G datasheet

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NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1 PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Simplifies Circuit Design www.onsemi.com Reduces Board Space Reduces Component Count (3) (2) (1) Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel ESD Rating - Human Body Model Class 1B ESD Rating - Machine Model Class B Q2 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

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NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1 PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Simplifies Circuit Design http //onsemi.com Reduces Board Space Reduces Component Count (3) (2) (1) Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel ESD Rating Human Body Model Class 1B Q2 ESD Rating Machine Model Class B Q1 MAXIMUM RATINGS R2 (TA = 25 C unless otherwise

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