NSTB60BDW1T1G Todos los transistores

 

NSTB60BDW1T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSTB60BDW1T1G
   Código: 71
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.26 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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NSTB60BDW1T1G Datasheet (PDF)

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NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1PNP General Purpose andNPN Bias ResistorTransistor Combination Simplifies Circuit Designwww.onsemi.com Reduces Board Space Reduces Component Count(3) (2) (1) Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel ESD Rating - Human Body Model: Class 1BESD Rating - Machine Model: Class B Q2 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

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NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1PNP General Purpose andNPN Bias ResistorTransistor Combination Simplifies Circuit Designhttp://onsemi.com Reduces Board Space Reduces Component Count(3) (2) (1) Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel ESD Rating Human Body Model: Class 1BQ2ESD Rating Machine Model: Class BQ1MAXIMUM RATINGSR2(TA = 25C unless otherwise

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History: 2SC954 | 3DG3648 | C400 | LT5639 | MRF844 | 2SB1166T | BCW94B

 

 
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