A1246 Todos los transistores

 

A1246 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1246
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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A1246 datasheet

 ..1. Size:230K  fgx
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A1246

A1246 PNP silicon APPLICATION AF AMPLIFIER APPLICATION. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -7 V Collector current IC -150 mA Collector Power Dissipation ICP -300 mA Junction Temperature PC 400 mW Storage Tempera

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 2sa1246 2sc3114 2sc3114.pdf pdf_icon

A1246

Ordering number ENN1047C PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1246/2SC3114 High-VEBO, AF Amp Applications Features Package Dimensions High VEBO. unit mm Wide ASO and highly resistant to breakdown. 2003B [2SA1246/2SC3114] 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Emitter 2 Collector ( ) 2SA1246 3 Base 1.3 1.3 SANYO NP Specifications Absolute Maxim

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History: 2SB435R

 

 

 


 
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