A1246 Todos los transistores

 

A1246 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1246
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

A1246 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  fgx
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A1246

A1246PNP silicon APPLICATIONAF AMPLIFIER APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltageVCBO -60 VCollector-emitter voltageVCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -7 VCollector currentIC -150 mACollector Power DissipationICP -300 mAJunction TemperaturePC 400 mWStorage Tempera

 0.1. Size:41K  sanyo
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A1246

Ordering number:ENN1047CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1246/2SC3114High-VEBO, AF Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions High VEBO.unit:mm Wide ASO and highly resistant to breakdown.2003B[2SA1246/2SC3114]5.04.04.00.450.50.440.451 2 31 : Emitter2 : Collector( ) : 2SA1246 3 : Base1.3 1.3 SANYO : NPSpecificationsAbsolute Maxim

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