A1246 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1246  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1246

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1246 даташит

 ..1. Size:230K  fgx
 a1246.pdf pdf_icon

A1246

A1246 PNP silicon APPLICATION AF AMPLIFIER APPLICATION. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -7 V Collector current IC -150 mA Collector Power Dissipation ICP -300 mA Junction Temperature PC 400 mW Storage Tempera

 0.1. Size:41K  sanyo
 2sa1246 2sc3114 2sc3114.pdf pdf_icon

A1246

Ordering number ENN1047C PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1246/2SC3114 High-VEBO, AF Amp Applications Features Package Dimensions High VEBO. unit mm Wide ASO and highly resistant to breakdown. 2003B [2SA1246/2SC3114] 5.0 4.0 4.0 0.45 0.5 0.44 0.45 1 2 3 1 Emitter 2 Collector ( ) 2SA1246 3 Base 1.3 1.3 SANYO NP Specifications Absolute Maxim

Другие транзисторы: A1150, A1160, A1162, A1163, A1175, A1182, A1213, A1241, BC558, A1255, A1266, A1267, A1267S, A1270, A1271, A1273, A1273A