A838 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: A838
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92L

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar A838

A838 Datasheet (PDF)

..1. Size:301K fgx
a838.pdf

A838 APPLICATION: High Frequency Amplifier Applications. PNP silicon MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -20 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -30 mACollector Power Dissipation PC 250 mWJu

0.1. Size:41K panasonic
2sa838 e.pdf

Transistor2SA838Silicon PNP epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SC13595.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 V+0.2 +0.2Collector to emitter voltage VCEO 20 V 0.45 0.1 0.45 0.11.27 1.27Emitter to ba

0.2. Size:37K panasonic
2sa838.pdf