A970 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A970
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar A970
A970 Datasheet (PDF)
a970.pdf
A970PNP SiliconPNP Transistors APPLICATIONLow Noise Audio Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGSTa=25PARAMETER SYMBOLRATING UNITCollector-base voltageVCBO -120 VCollector-emitter voltageVCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO-5 VCollector currentIC-100 mABaes currentIB-20 mACollector Power DissipationPC
2sa970.pdf
2SA970 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA970 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm Low noise: NF = 3dB (typ.) RG = 100 , V = -6 V, I = -100 A, CE C f = 1 kHz : NF = 0.5dB (typ.) R = 1 k, V = -6 V, I = -100 A, G CE C f = 1 kHz High DC current gain: h = 200~700 FE High breakdown voltage: V = -120 V CEO
csa970 csc2240.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-92 Plastic PackageCSA970CSC2240CSA 970 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSCSC 2240 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSLow Noise Audio AmplifierDIM MIN MAXA 4,32 5,33B 4,45 5,20C 3,18 4,19D 0,41 0,55E 0,35 0,50F 5 DEGG 1,14 1,40H 1,14 1,53K 12,70 L 1.982 2.
2sa970.pdf
2SA970 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,,Low noise, high DC current gain, high breakdown voltage. / Applications Low noise audio amplifier applications.
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