H772 Todos los transistores

 

H772 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H772

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO126

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H772 datasheet

 ..1. Size:817K  shantou-huashan
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H772

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H772 APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-126ML Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collect

 0.1. Size:102K  chenmko
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H772

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH772GP SMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (DPAK) DPAK * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time tstg= 1.0uSec (typ.) * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). .094 (2.38) .086 (2.19) * High s

 0.2. Size:224K  semihow
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H772

KSH772 KSH772 SEMIHOW REV.A2,Mar 2008 KSH772 2 KSH772 Audio Frequency Power Amplifier Audio Frequency Power Amplifier - Low Speed Switching - Complement to KSH882 3 Amperes PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1 Watts TO-126 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector-Base Voltage VCBO

Otros transistores... H1609 , H1684 , H2682 , H3619 , H3950 , H3953 , H649A , H6718V , 2SC5200 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 , HB834 , HB857 .

History: 2N1742 | LBC846BPDW1T1G | SUR490J

 

 

 

 

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