HD313 Todos los transistores

 

HD313 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD313
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 65 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HD313 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  shantou-huashan
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HD313

N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HD313 APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 0.1. Size:92K  onsemi
 nthd3133pf nthd3133pft1g.pdf pdf_icon

HD313

NTHD3133PFPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics64 mW @ -4.5 V-20 V -4.4 A Indep

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History: HUN2130 | 2SA1746T5TL | 2SD608A

 

 
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