HD313 - описание и поиск аналогов

 

HD313. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD313

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для HD313

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HD313 даташит

 ..1. Size:109K  shantou-huashan
 hd313.pdf pdf_icon

HD313

 0.1. Size:92K  onsemi
 nthd3133pf nthd3133pft1g.pdf pdf_icon

HD313

NTHD3133PF Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt http //onsemi.com Features Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics 64 mW @ -4.5 V -20 V -4.4 A Indep

Другие транзисторы: HC4054, HC4106, HC4242, HC4242S, HC4550, HC4793, HC5027, HC5039, 2SC2073, HD880, HE2955, HE3055, HP102, HP107, HP122, HP122U, HP122W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.