HSBD180 Todos los transistores

 

HSBD180 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBD180
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSBD180 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  shantou-huashan
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HSBD180

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD180 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.1. Size:62K  shantou-huashan
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HSBD180

PNP SILICON TRANSIST OR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD140 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.2. Size:123K  shantou-huashan
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HSBD180

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD178 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.3. Size:123K  shantou-huashan
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HSBD180

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD179 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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History: HBC114YS5 | GES6219 | KRA572E | 2SC3648 | BFG520-X | BD675A | PMD25K120

 

 
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