HSBD180 Todos los transistores

 

HSBD180 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSBD180

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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HSBD180 datasheet

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HSBD180

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD180 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

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HSBD180

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HSBD180

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD178 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

 9.3. Size:123K  shantou-huashan
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HSBD180

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD179 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

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