H1270 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H1270
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200(TYP) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar H1270
H1270 Datasheet (PDF)
h1270.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1270 CENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050